如何減輕溫度對FRAM陣列性能的影響，使其能在高溫下實現高可靠性操作需要更加深入研究。 

針對這一問題，中科院微電子所劉明院士團隊提出了一種考慮溫度效應的鐵電陣列操作方法，并在128kb 1T1C FeRAM陣列上進行了驗證，證明了在該方法操作下鐵電陣列可實現高溫下的高可靠性操作。

該研究發現在鐵電陣列操作中，傳統的陣列操作方法在高溫下會造成誤讀。研究人員通過材料表征和電學測量等手段，系統研究了剩余極化在高溫下降低的機理。

研究發現，電子去俘獲引起的內建電場的增加是導致剩余極化值降低的主要原因。根據該機理，研究人員建立了考慮溫度效應的動態蒙特卡洛模型，并通過仿真給出了減輕溫度影響的操作電壓。