晶體管實(shí)際性能超過(guò)Intel商用10納米節(jié)點(diǎn)的硅基Fin晶體管，并且將二維晶體管的工作電壓降到0.5V。

據(jù)“北京大學(xué)”介紹，這一研究實(shí)現(xiàn)了三方面技術(shù)革新：

首先，采用高載流子熱速度（更小有效質(zhì)量）的三層硒化銦作溝道，實(shí)現(xiàn)了目前場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最高值；

第二，解決了二維材料表面生長(zhǎng)超薄氧化層的難題，制備出2.6納米超薄雙柵氧化鉿，將器件跨導(dǎo)提升到6毫西·微米，超過(guò)所有二維器件一個(gè)數(shù)量級(jí)；

最后，開(kāi)創(chuàng)了摻雜誘導(dǎo)二維相變技術(shù)，克服了二維器件領(lǐng)域金半接觸的國(guó)際難題，將總電阻刷新至124歐姆·微米。

這項(xiàng)工作突破了長(zhǎng)期以來(lái)阻礙二維電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵科學(xué)瓶頸，將n型二維半導(dǎo)體晶體管的性能首次推近理論極限，率先在實(shí)驗(yàn)上證明出二維器件性能和功耗上優(yōu)于先進(jìn)硅基技術(shù)，為推動(dòng)二維半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展注入了強(qiáng)有力的信心和活力。