英飛凌

2023年10月，英飛凌宣布完成對氮化鎵系統公司(GaN Systems)的收購，雙方強強聯合之后將形成豐富的GaN產品組合(尤其是在中高壓GaN單管和集成產品組合，包括驅動器和控制器等系統元件方面)、行業領先的GaN IP和雄厚的研發力量。此外，兩個自有生產基地結合強大的晶圓代工合作伙伴，制造能力也將得到進一步增強。

而在SiC領域，英飛凌則希望憑借在SiC原料供應、冷切割(Cold Split)技術、優異的溝槽工藝、一流的內部封裝解決方案等方面的優勢，在2030年末占據全球SiC市場30%的市場份額，成為該領域的領導力量。

意法半導體

ST目前在全球碳化硅MOSFET市場份額已超50%。意法半導體執行副總裁、中國區總裁曹志平不久前在接受媒體采訪時指出，今后三年，ST在SiC領域有三個工作重點：第一，將生產線升級到8英寸晶圓；第二，落實碳化硅供應鏈垂直整合策略，包括正在卡塔尼亞工廠建造的碳化硅襯底綜合廠，將碳化硅襯底內部供應量占比提升到40%；第三，與Soitec合作在8英寸晶圓上采用SmartSiC技術。

他同時指出，盡管與SiC技術相比，現有氮化鎵技術主要用于消費電子產品，產量較低。但ST非常看好氮化鎵技術的未來前景，將在氮化鎵應用領域復制公司在碳化硅市場的成功故事。為此，ST正在公司內部和外部布局并建設重要的基礎設施，以應對工業和汽車行業在電動化和數字化轉型過程中對氮化鎵的需求增長。

納微半導體

2022年8月，納微半導體(Navitas Semiconductor)正式并購GeneSiC公司，構建起了以GaNFast+GeneSiC為代表的第三代功率半導體“雙引擎”戰略。此后，該公司還并購了專注于數字隔離器開發的比利時VDD TECH公司，并于2023年1月與廣東希荻微電子達成協議，獲得希荻微擁有并經授權使用的與硅控制器相關技術許可。至此，納微實現了對從電壓等級40V到6500V，功率等級20/30瓦到兆瓦級應用場景的全覆蓋。

與ST、安森美、英飛凌等IDM廠商不同，納微半導體在SiC上選擇了更加靈活的商業模式，與包括X-fab在內的12家以上的不同伙伴展開了合作，以確保產能和交付能力。按照Navitas方面的說法，碳化硅行業的瓶頸仍然是在襯底側，不但占據總成本的45-50%，還要考慮良率、缺陷、封裝、器件設計等多個要素，需要整個產業鏈共同努力解決。

公司2023年第三季度財務業績顯示，其總收入達到2,200萬美元，較2022年第三季度的1,020萬美元增長115%，較2023年第二季度的1,810萬美元增長22%。

瑞薩電子

根據行業研究，GaN的需求預計每年將增長50%以上。因此瑞薩收購Transphorm的目標也很明確，就是希望利用其在GaN方面的專業知識，進一步擴展自己的寬禁帶產品陣容。接下來，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。而在SiC領域，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議。

羅姆

單就SiC市場，羅姆銷售目標是在2025年度大于1100億日元的銷售額。預計2024-2026三個年度，有近9000億日元的市場待開拓。為了實現這樣的目標，羅姆正不斷進行SiC方面的投資，預計2021-2025這五年投入1700-2200億日元。

GaN方面，2022年3月，羅姆確立了柵極耐壓高達8V的“150V耐壓GaN HEMT”的量產體系，并將該系列產品命名為“EcoGaN?”。同年5月，羅姆和臺達電子就GaN功率器件的開發與量產締結戰略合作伙伴關系，雙方將利用彼此優勢聯合開發適合更多電源系統的600V耐壓GaN功率器件。2023年4月，羅姆650V GaN HEMT產品系列面世，重點面向電源和電機市場。

如何打造本土差異化競爭優勢

這種“雙管齊下”的策略給企業帶來的競爭優勢是不言而喻的，其中包括能夠借助在一種技術上的積累沉淀助力另一種技術的開發，以及向客戶和市場提供各種功率電子產品，實現優勢互補。而且，在系統級應用中同時使用硅、SiC和GaN技術可以實現更高的能效、功率密度和整體性能，有助于功率電子系統瘦身減重，更易于集成到各種應用中，且成本適當。

與國外大廠普遍采用IDM模式不同，國內相關產業目前仍以Fabless模式為主，更強調應用創新。那么，國內企業要不要也盡快采用IDM模式？該如何打造出屬于自己的差異化競爭優勢？

上海瀾芯半導體創始人兼總經理馬彪此前在參加2023年第三屆臨港國際半導體大會時指出，國外大廠采用IDM模式有自己的歷史原因，也確實給自己帶來了競爭優勢，無論是成本、出貨量，還是制造、封裝、應用，加之比較高的技術護城河，都給本土企業帶來了壓力。

另一方面，如果從碳化硅器件的角度來看，性能、可靠性和成本是行業最為關注的三大特征。但與國外大廠相比，他們比起步早、布局廣，溝槽型器件的可靠性驗證進行過多次。相比之下，國內平面型器件在汽車上的驗證資源比較少，可靠性方面(包括器件設計、制造工藝、產品缺陷率、封裝適配性)也需要繼續提升，這些都是面臨的實際挑戰。

因此，他認為，要想盡快追趕上國外大廠，并最終打贏這場仗，至少要做到以下三點：第一，要比歐美企業更加勤奮；第二，集中資源打磨更有競爭力的產品，縮短流片時間，加速產品迭代；第三，應用端多給本土企業一些機會，這是雙贏的結局，所以產業鏈要抱團取暖。

AOS產品應用中心總監張龍也傾向于走IDM這條路。在他看來，一家功率半導體企業做到一定階段之后，如果想要繼續做大做強，形成自己的專利壁壘，IDM這條路是一定要走的。畢竟功率半導體專利跟設備、工廠、流程是緊密聯系在一起的，很難靠別家工廠長期做下去，盡管這條路走起來比較艱辛。國內市場的優勢之一就是反饋循環比較快，所以本土企業間一定要抱團，分散的小公司很難形成有效的研發實力，更沒有和國際頭部大廠直接競爭的能力。

威睿能源電驅業務電驅產品總監劉波則從整車廠的視角進行了分析解讀?！罢噺S首先關注供應鏈企業的供應能力、研發能力和財務狀況，如果不達標，就會遭到淘汰?！耙虼耍瑖H芯片大廠的確是通過強強合作，通過質量和成本鎖定客戶，國內未來也會逐漸趨向頭部效應，通過鎖定上下游合作帶來更強的成本優勢和供應能力。

“國產IGBT現在之所以能占據50-60%的市場份額，就是因為能在確保產品質量的前提下保證車廠供應，滿足了車廠的核心訴求?！眲⒉ㄕf。

目前來看，雖然國產寬禁帶功率半導體器件從工藝水平來看仍然與國際領先水平相差至少一代，但國內碳化硅產品的封裝水平完全沒有問題，服務響應速度也比國際大廠快?？紤]到2024年是對寬禁帶半導體供應鏈的壓力測試之年，對國內設計公司來說，不僅僅要設計出電學性能出色的產品，更要強化從質量管理體系到供應鏈管理體系的建設，這是一個系統性的工程，必須要花大力氣。只有如此，本土產品才能以更好的性能和可靠性，更穩定的生命周期供貨，贏得用戶的信心。